At Rambus, we create cutting-edge semiconductor and IP products, spanning memory and interfaces to security, smart sensors and lighting.
HBM2E 控制器
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产品简介HBM2E 接口子系统
HBM2E 是高性能内存，外形紧凑，功耗较低。 它将 2.5D/3D 架构与以较低时钟速度（相较于 GDDR6）运行的 1024 位宽接口组合使用，为人工智能/机器学习和 HPC 应用提供更高的总体吞吐量，并带来更高的每瓦特带宽效率。
Rambus HBM2E 控制器支持数据速率高达 3.6 Gbps/数据引脚的 HBM2 和 HBM2E 设备。它支持所有标准通道密度，包括 4、6、8、12、16 和 24 Gb。控制器通过前视命令处理操作，最大化内存带宽并最小化延迟。该核心兼容 DFI（需要 HBM2E 插件），并支持 AXI 或用户逻辑原生接口。
Rambus HBM2E 控制器完全符合 JEDEC HBM2E JESD235 标准。它支持高达 3.6 Gbps/数据引脚的数据速率。其接口支持 8 个独立通道，每通道含 128 位，总数据宽度 1024 位。由此产生的带宽为每 HBM2E 内存设备 461 GB/s，包含 2、4、8 或 12 个 3D 堆叠 DRAM。
Rambus HBM2E 控制器与客户所选的 PHY 相组合，构成了完整的 HBM2E 内存接口子系统。
HBM3 内存：向更高的带宽突破
HBM 以大容量和紧凑外形提供无与伦比的内存带宽，成为人工智能/机器学习和其他高性能计算工作负载的首选内存。HBM3 作为最新一代的标准，将数据速率提高到 6.4 Gb/s，并将进一步扩展。Rambus HBM3 控制器的数据速率高达 9.6 Gb/s，支持 HBM3 标准的持续演进。
解决方案产品
- 支持 HBM2E 和 HBM2 设备
- 支持所有标准 HBM2/2E 通道密度（4、6、8、12、16、24 Gb）
- 支持高达 3.6 Gbps/引脚的数据速率
- 可通过一个控制器或两个控制器独立处理两个伪通道
- 基于队列的接口优化了性能和吞吐量
- 通过前视命令处理操作，最大化内存带宽并最小化延迟
- 以极低路由约束实现高时钟速率
- 完全运行时可配置的时序参数和内存设置
- 兼容 DFI（需要 HBM2 插件）
- 提供一整套附加核心
- 支持 AXI 或本地用户逻辑接口
- 支持 HBM2/2E RAS 功能
- 内置硬件级性能活动监视器
- 以与目标 PHY 完全集成并经过验证的形式交付
- 核心（源代码）
- 测试台（源代码）
- 完整文档
- 专家技术支持
- 维护更新
- 自定义
- SoC 集成
协议兼容性
| 协议 | 最大数据速率 (Gbps) | 应用 |
|---|---|---|
| HBM2E | 3.6 | 人工智能/机器学习、HPC 和图形 |
| HBM2 | 2 | 人工智能/机器学习、HPC 和图形 |
